【讲座主题】二维层状范德华半导体材料的机遇与挑战
【主讲人】：Young Hee Lee （李永熙，中科院外籍院士、韩国科学技术翰林院院士、湖北工业大学教授、北京大学客座讲席教授）
【讲座时间】: 2025年9月19日 周五 14:30-16:00
【讲座地点】: 主楼D260
【主讲人简介】
Young Hee Lee（李永熙），韩国国籍，低维材料物理学家，1955年7月出生于韩国。1982年在全北国立大学获得学士学位，1982年和1986年分别在美国肯特州立大学获得硕士和博士学位。曾任韩国基础科学研究院集成纳米结构物理中心主任，成均馆大学能源科学系和物理系教授。2007年入选韩国科学技术翰林院院士，2020年入选发展中国家科学院院士，2021年入选中国科学院外籍院士。 现任湖北工业大学教授、北京大学客座讲席教授。
李永熙教授长期致力于低维材料、物性及其应用研究，尤其在二维材料和异质结的生长领域取得了重要突破。他是晶圆级单晶单层/多层石墨烯的首个制备者，并率先在MoTe2中实现了从2H半导体到1T或1T'金属相的转变，提出了控制二维材料相变的新思路。他还发明了二维铁磁半导体的生长技术，在V-WSe2中实现了室温铁磁特性，并在二维MoTe2和WSe2中利用载流子倍增效应实现了接近99%的能量转换效率。李永熙教授在碳纳米管应用领域也做出了重要贡献，首次实现了基于单壁碳纳米管的超级电容器，这项技术已广泛应用于触摸屏等领域。此外，他与三星公司合作，开发了32英寸FED平板显示器，推动了碳纳米材料在电子与能源领域的产业化。
李永熙教授曾多次获得学术奖励，包括2005年韩国物理学会科学奖、2008年科学与教育总统奖、2014年苏堂奖和2017年中国科学院IMR爱因斯坦奖，并被科睿唯安评为“高被引科学家”多年。截至2025年9月，李永熙教授已发表600余篇学术论文，SCI引用超过4.7万次，H指数为107。他的研究成果在纳米科学与纳米技术领域处于世界领先地位，并为韩国和全球的科技进步做出了巨大贡献。
【讲座内容】
自1991年碳纳米管（CNTs）和2004年石墨烯被发现以来，随后过渡金属二硫属化物（TMDs）等材料的出现，引发了层状范德华材料在基础科学和应用研究中的热潮。由于CNTs和石墨烯在部分应用中的局限性，人们又广泛探索了其他二维材料，如TMDs、六方氮化硼（hBN）以及黑磷（BP），在物理学、电子学和光电子学等领域不断拓展新的方向。同时，这些材料在谷电子学、自旋电子学、扭曲电子学和轨道电子学等新兴领域也展现出巨大潜力。其背后关键的物理机制包括强库仑作用、减弱的电荷屏蔽效应、较高的激子束缚能，以及显著的自旋–轨道耦合，为基础研究和实际应用都提供了重要机遇。本次报告将重点介绍范德华半导体及其器件领域面临的一些关键挑战，包括欧姆接触、载流子迁移率与开态电流、室温铁磁半导体、热载流子太阳能电池，以及电子学中的玻色–爱因斯坦凝聚等问题。